产品介绍：Low K电介质薄膜是一种介电常数较低的材料，通过降低集成电路中使用的介电材料的介电常数，可以有效减少漏电电流，降低导线之间的电容效应，还能减少集成电路的发热。这种薄膜材料在半导体行业中具有重要应用，它可以作为层间电介质（ILD），有效降低互连线之间的分布电容，提升芯片的整体性能。常见的Low K材料包括氟硅玻璃（FSG）、碳掺杂的氧化硅（如Black Diamond、Coral、Auroral）以及氮掺杂的碳化硅（如BLOK）等。

中文名称：low k电介质薄膜

英文名称：Low-k Dielectric Film

别称：低介电常数薄膜

外观：透明或半透明的薄膜状

纯度：95%+

溶解性：溶于有机溶剂

保存方式：冷藏

保质期限：一年

用途：科研
温馨提示：仅用于科研,不能用于人体

图片：

特性：

良好的平整度和均匀性：在半导体制造工艺中，要求 low k 电介质薄膜具有高度的平整度和均匀性，薄膜厚度均匀性通常可控制在 ±5% 以内，表面粗糙度一般在几纳米以下，以确保在大规模集成电路中能够实现良好的光刻和蚀刻工艺，保证器件的性能一致性。

化学稳定性：具有良好的化学稳定性，能够抵抗各种化学物质的侵蚀，如在半导体制造过程中的刻蚀液、清洗液等环境下，保持自身的结构和性能稳定，不易发生化学反应或溶解，确保器件的长期可靠性。

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