二维材料晶圆是指以二维材料为基础，在特定衬底上制备出的具有一定尺寸和质量的晶圆，在电子、光电子等领域具有重要应用前景，以下是瑞禧小编总结的可定制的二维材料晶圆：

1.4英寸蓝宝石衬底二硫化钼（MoS₂，0.6nm，近似单层）

材料特性：二硫化钼（MoS₂）是一种过渡金属二硫化物（TMD），具有层状结构，单层厚度约为0.65nm。近似单层的MoS₂表现出良好的半导体特性，带隙约为1.8eV（直接带隙），适用于高性能晶体管、光电传感和柔性电子器件。

应用领域：高性能晶体管、光电探测器、柔性显示屏、智能可穿戴设备。

优势：高迁移率、高开关比、良好的光学性能。

2. 4英寸Si/SiO₂衬底二硫化钼（MoS₂，0.6nm，近似单层）

材料特性：与蓝宝石衬底类似，Si/SiO₂衬底上的MoS₂同样具有近似单层的结构，厚度约为0.6nm。Si/SiO₂衬底更易于与现有硅基集成电路工艺兼容，便于集成化应用。

应用领域：集成电路、传感器、光电探测器。

优势：与硅基工艺兼容性好，便于大规模生产。

3.  4英寸硫化铂（PtS，10nm，多层）

材料特性：硫化铂（PtS）是一种无机化合物，具有层状结构，厚度为10nm的多层结构。PtS具有电学和光学性质，可能表现出不同于单层或少层材料的特性。

应用领域：化学传感器、催化剂、半导体器件。

优势：多层结构可能提供更高的稳定性和更丰富的电学特性。

4. 碲化钼（MoTe₂，1.5nm，近似少层）

材料特性：碲化钼（MoTe₂）是一种层状二维材料，厚度为1.5nm的近似少层结构。MoTe₂具有可调带隙、高迁移率和良好的光电性能，适用于光电和电子器件。

应用领域：光电探测器、晶体管、柔性电子器件。

优势：带隙可调、高迁移率、良好的柔韧性。

5.  4英寸二硒化钯（PdSe₂，3nm，近似少层）

材料特性：二硒化钯（PdSe₂）是一种层状二维材料，厚度为3nm的近似少层结构。PdSe₂具有良好的电学和光学性能，适用于高性能电子和光电器件。

应用领域：高性能晶体管、光电探测器、柔性电子器件。

优势：高迁移率、良好的光电性能、柔韧性好。